엑스선 광전자 분광기
- 구축연도
- 2026년 구축
- 약칭
- XPS
- 제조사
- ULVAC-PHI
- 모델명
- PHI GENESIS
- 담당자명
- KTL 최원렬 연구원
- 문의전화
- 031-500-0462
장비 사용 용도
엑스선 노광으로 인해 방출되는 전자의 Binding energy를 분석함
1. 재료 표면의 정성, 정량적 분석
2. 재료의 화학적 결합 상태 분석
3. 깊이에 따른 차이 확인 가능
4. 가열 기능으로 온도 의존성 확인 가능
5. UPS 기능으로 물질의 Valence band 분석 가능
주요스펙
- X-ray source: Monochromated Al-Kα, microfocused beam
- Beam Size: 5-200 μm
- Beam Power: 0.8–100 W
- Ar+Sputtering Power : 0.1–5 keV
- Sensitivity (Ag 3d5/2 peak): 2,000,000 cps (Large area) 200,000 cps (20 μm) 100,000 cps (10 μm)
- Sample Heating: Up to 800℃(Main chamber) Up to 600℃(Intro chamber)
- UPS Option